一文通PECVD工序工艺
PECVD目的在硅片表【biǎo】面沉积【jī】一【yī】层氮化硅【guī】减反【fǎn】射膜，以【yǐ】增【zēng】加【jiā】入射在硅片上的光的透射【shè】，减少反射【shè】，氢【qīng】原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。镀膜【mó】原理光【guāng】照射在硅片表面时，反射会【huì】使光【guāng】损失约三分之一。如果在硅表面【miàn】有【yǒu】一层或【huò】多
PECVD目的在硅片表【biǎo】面沉积【jī】一【yī】层氮化硅【guī】减反【fǎn】射膜，以【yǐ】增【zēng】加【jiā】入射在硅片上的光的透射【shè】，减少反射【shè】，氢【qīng】原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。镀膜【mó】原理光【guāng】照射在硅片表面时，反射会【huì】使光【guāng】损失约三分之一。如果在硅表面【miàn】有【yǒu】一层或【huò】多