在硅【guī】片表面沉积一层氮【dàn】化硅减反射膜【mó】，以增【zēng】加入射【shè】在硅【guī】片【piàn】上【shàng】的【de】光的透射，减少反射，氢原子搀杂【zá】在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
镀膜原理
光照【zhào】射在【zài】硅片表面时【shí】，反射会使光损失约【yuē】三分之一。如果在【zài】硅表面【miàn】有一层或多层合适【shì】的薄膜，利用薄【báo】膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳【yáng】电池【chí】的【de】减反射膜【mó】(ARC，antireflection coating)。
管式PECVD的原理就是通过【guò】脉冲射频【pín】激发受热的【de】稀薄气【qì】体【tǐ】进【jìn】行辉光放电形【xíng】成等【děng】离子体，通过两片相对应的【de】石墨【mò】片【piàn】加相反的交变电压使等离【lí】子在极板间加速【sù】撞击【jī】气体，运动到硅片【piàn】表面完成【chéng】镀膜过程。
三、镀膜的相关介绍
1、机台照片与工作原理图
2、等离子体
所谓等【děng】离子【zǐ】体，是指气体在【zài】一定条件【jiàn】下受到高【gāo】能激发，发生【shēng】电离，部分外【wài】层电子脱【tuō】离原子核，形【xíng】成电子、正离子和中性【xìng】粒子混合组成的【de】一种形态，这种【zhǒng】形态就称为【wéi】等离子态。
等离子体在化学气相沉积中有如下作用：
(1).将【jiāng】反应物中的气体分【fèn】子激活成活性离【lí】子，降低【dī】反应所需【xū】的温度;
(2).加速反应物在基片表【biǎo】面的扩散作用(表面【miàn】迁移作【zuò】用【yòng】)，提高成膜速【sù】度;
(3).对于基【jī】体表面及膜【mó】层表【biǎo】面【miàn】具有溅射清【qīng】洗【xǐ】作用，溅【jiàn】射掉【diào】那些结【jié】合不牢的粒子，从而加强了形成的薄【báo】膜和基片的附着力;
(4).由于反应物【wù】中的原【yuán】子、分子、离【lí】子和电子之间【jiān】的碰撞、散射作【zuò】用【yòng】，使形成的薄膜厚度均匀
3、镀膜的方式分类
间接等离子【zǐ】：等离【lí】子【zǐ】没有直接和硅片接触【chù】，基【jī】片不接【jiē】触激发电极( Roth&Rau)
直【zhí】接等【děng】离子：等【děng】离子直接接触【chù】硅片，基片位于一个电极上，直接接【jiē】触【chù】等离子体( Centrotherm 、岛【dǎo】津)
四、影响镀膜效果的主要参数
影响镀膜效果主要的机器本身工艺参数有：
(1).镀膜工艺时候真空压力
(2).镀膜工艺温度
(3).镀膜工艺
气体流量比
(4).镀膜工艺
总气体流量
(5).射频功率以及脉冲开关时间
(6).等离子体的沉积方向
由于管式【shì】PECVD 是直接镀膜过程，镀膜效果会【huì】受到很多外【wài】界【jiè】因素【sù】的干扰，
并且这些干扰对膜的质量产生很严重的影响;
(1).石墨舟本身的使用状况
(2).硅片表面形貌的差异
管式PECVD 镀膜的各工艺参数具体控制范围
1.镀膜工艺时候真空压力
真空压力【lì】对镀膜速率而言很【hěn】重要，是成膜较为关键的因素，目【mù】前【qián】在尚【shàng】德【dé】镀膜
工艺保持稳定的情况下，管式PECVD 的真空压力为;
156 多晶：1700 mTorr ，大【dà】约【yuē】相当于226.65 Pa。
125 单晶【jīng】：1700 mTorr ，大约相【xiàng】当于226.65 Pa。
2.镀膜工艺温度
管式PECVD 工艺时温度为430℃--450℃
5.射频功率以及脉冲开关时间
射频功【gōng】率也是影响【xiǎng】镀膜成膜【mó】的较重要的【de】因素，也【yě】是优【yōu】化工艺时必须考虑的【de】因素，目前射频功率新工艺射【shè】频功率为【wéi】;
6.等离子体的沉积方向
插【chā】片时硅片载体【tǐ】被【bèi】工艺点固【gù】定，在硅片和石墨舟片接触很紧密【mì】的情【qíng】况下(即【jí】硅【guī】片本身不弯【wān】曲，插片不翘起)，等【děng】离子基本上是垂直撞【zhuàng】击到硅片表面。
PECVD 膜的作用、简述膜的特性
1、氮化硅膜的减反原理
光照【zhào】射【shè】在硅片表面时，反【fǎn】射会使光损失【shī】约三分之一【yī】。如【rú】果在硅表面有一层或
多层合【hé】适的薄【báo】膜，利用薄【báo】膜干涉原理【lǐ】，可以使【shǐ】光【guāng】的反射大为减少，这种膜称为太
阳电池【chí】的减反射膜(ARC，antireflection coating)。
照射【shè】到硅【guī】片上【shàng】的【de】光因为反【fǎn】射【shè】不能全部被硅吸收。反射百分率的大小取决于硅
和外界透明介质的折射率。垂直入射时，硅片表面的反射率R 为:
在真【zhēn】空或大气中，如果【guǒ】硅表面没有减反【fǎn】射膜，长波范围(1.1μ m)入射光损失
总量的34%，短波【bō】范围【wéi】(0.4 μ m)为54%。即使在硅表面制作【zuò】了绒面【miàn】，由于【yú】入【rù】射【shè】光产生多次反射【shè】而增加了吸收，但也有约14%以上【shàng】的反射【shè】损失。
如果在硅的表面制备一层透明的介质【zhì】膜，由于介质膜的【de】两个【gè】界【jiè】面上【shàng】的【de】反射光
相互干涉，可以在【zài】很宽的波长范围【wéi】内降低反射率。此时反【fǎn】射【shè】率由下式给出【chū】：
式中, r1、r2 分别是【shì】外界介质一膜和膜【mó】一【yī】硅界面上的菲涅【niè】尔反【fǎn】射系数;△为
膜层厚度引起的相位角。它们可分别表示为:
其中，n0, n 和ns:分别为外界介【jiè】质、膜【mó】层【céng】和【hé】硅的折射率，λ 0 是入【rù】射光的
波长，d 是膜层的厚度。
当【dāng】波【bō】 长【zhǎng】 为λ 0 的光垂直入射时，如果当nd= λ 0 /4 ，则由式【shì】
为【wéi】了使【shǐ】反射损失减到最小，即希望Rλ 0 =0, 应有：
硅的折射率nsi=3.9，n0=1 :
从裸露的硅表面【miàn】和从覆【fù】盖有折【shé】射率为1.9 和2.3 的减【jiǎn】反射膜的硅【guī】表面反射
的正常入射光的百分比与波长的关系：
2、氮化硅膜的钝化效果
PECVD 沉积SixNy 薄膜有一定程度的表【biǎo】面【miàn】损伤，同时薄【báo】膜中有较高含量【liàng】的【de】氢，
容易和空位形【xíng】成氢【qīng】一空位对{V. H}+。空位【wèi】还能增【zēng】强氢【qīng】的扩散，使【shǐ】氢与缺陷及晶
界处的悬挂键结【jié】合，从【cóng】而减少界面【miàn】态密度和【hé】复合中心。正电荷{V. H}+也改善了
SixNy/Si 的界面状态。很多文【wén】献资料显示，有效少数载流【liú】子寿【shòu】命和SixNy 膜【mó】中
的氢【qīng】含【hán】量由一定的关系。多数情况下，氢含量较高，少子寿命也较大。但沉积【jī】温度改变时有所【suǒ】不同，可【kě】能是温【wēn】度的升高更有利于粒子【zǐ】的运动【dòng】，使SixNy 膜中【zhōng】更多的氢溢出，到【dào】达界面或【huò】进入硅【guī】中，消除悬挂【guà】键【jiàn】的【de】活性【xìng】，从而获得更高的少子寿命。
这样，薄膜中的氢含量有可能降低。
合适条件的后退【tuì】火能够进一步增强氢和氢一【yī】空位对{V. H}+的扩【kuò】散【sàn】，从【cóng】而【ér】降
低【dī】表【biǎo】面复合速率，获得更【gèng】好的钝化【huà】效果。但是【shì】退【tuì】火温度过高时，SixNy 膜和硅中的氢都会向外扩散溢出【chū】，使氢含量【liàng】迅速减【jiǎn】少，少【shǎo】子寿命急剧下降，钝【dùn】化效果消失。
PECVD 沉积氮化硅膜【mó】后，单晶硅少子寿命的【de】提高主要是因为好【hǎo】的【de】表面钝【dùn】化。
对于多晶硅和其他低【dī】质量【liàng】的【de】硅片(如硅带)，因为体内具有大量的空位、缺陷和晶界【jiè】等，除了【le】表面钝化效果。因此，低质量【liàng】硅【guī】片的氢钝【dùn】化效果更【gèng】明显。
3、氮化硅膜的抗干扰效果
氮化规的【de】主要性质是对 H O 2 、O、Na、Al、Ga、In 等都【dōu】具有极强的【de】扩【kuò】散阻
挡能力，使它成为一种较理想的保护电池的材料。
4、膜的特性
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5、氮化硅颜色与厚度对照表:
管P常见的异常情况
边缘水纹
原因：因2#HF槽吹干效【xiào】果不佳【jiā】，导致正面【miàn】边缘生产洛合【hé】物，再加【jiā】上【shàng】碱洗不干净【jìng】最终导致边缘【yuán】水纹;
解决：改善2#槽吹干效果，将碱槽浓度加大
2.红片
原因：(1).沉积时间过短;
(2).减薄量过低;
(3).石墨舟使用次数过多
(4).石墨舟预处理效果不佳
解决：(1).根据实际情况调整镀膜时间;
(2).根据已镀膜【mó】完片子的情况【kuàng】，结合【hé】对应【yīng】的减薄量，实时调整【zhěng】镀膜时间;
(3).检【jiǎn】查操作记录【lù】，确认舟已【yǐ】使【shǐ】用【yòng】多【duō】少次，如果使用次数【shù】过多就要求员工【gōng】将石墨舟作刻蚀处理
(4).对该石墨舟尽早做刻蚀处理
3.淡蓝
原因：(1).沉积时间过长;
(2).减薄量过高;
解决：(1). 根据实际情况调整镀膜时间;
(2).根【gēn】据已镀膜完【wán】片子的情况，结合对应【yīng】的【de】减薄【báo】量，实时调整【zhěng】镀膜时间;
4.镀膜呈彩虹状
原因：弯曲片;
解决：对于弯曲片【piàn】，因Centrotherm工艺原【yuán】理所限，没有办法，所【suǒ】以弯曲【qǔ】片只能【néng】在平板机器上【shàng】做【zuò】;
5.石墨舟掉片子，如下图所示：
原因：员工上料不牢，在机内碎片;
解决【jué】：掉【diào】了一片，就导致【zhì】了上面【miàn】两片异常片【piàn】，对【duì】于右边这片肯【kěn】定是要返工的【de】;而左边这【zhè】片，图中所看到【dào】的是硅片【piàn】的【de】背面【miàn】，而它的【de】正面是好【hǎo】的，所以员工常会将这样的片子留下面，下面是这种片子的电性【xìng】能：
从【cóng】上面的数据中可【kě】以看出，这样的【de】片子肯定是Jo片，所【suǒ】以这种片子也是【shì】一定要【yào】返工的;
6.异常色差，如下图所示：
原因：制绒槽的风刀堵住所致;
解决：更换风刀;
7.边缘色斑印，
如下图所示，镀膜后该区域依然较明显：
原因：(1).清洗间出来的片子吹不干;
(2).石英舟不干净;
解决：(1).检查到底【dǐ】是什么原因导致，是酸【suān】洗不【bú】脱水还是风【fēng】刀【dāo】吹不干导致【zhì】，视【shì】实际情况【kuàng】解决;
(2).从上图【tú】可以看出，边缘的【de】色斑形状规【guī】则，是石英舟的支撑杆处出现的，须跟踪【zōng】是【shì】哪个石英舟【zhōu】导致【zhì】，将【jiāng】该【gāi】石【shí】英舟停用作清洗;
8.工艺圆点大
原因：石墨舟的固定点磨损过深导致
解决：让设备人员将石墨舟拆洗，更换石墨片;
平板部分
9.Roth&Rau的可控参数
(1). 压强0.2mbar～0.3mbar
温度350℃～400℃
微波功率2800W～3600W
SiH4(0sccm～2000sccm)和【hé】NH3(0sccm～2000sccm)，SiH4和NH3总【zǒng】气【qì】流量控制在2000sccm，而NH3和SiH4的比率控制在2.9～3.6;
带速150cm/min～170 cm/min
上面【miàn】这些参【cān】数是常规调整参数，可对单框【kuàng】整体【tǐ】的【de】膜厚和折射率进行控制;
(2).进料【liào】腔的加热时间，进料【liào】腔和出料腔【qiāng】冲NH3的【de】时间和流【liú】量，进料腔、预【yù】热腔【qiāng】和工艺腔的加热器的输出功【gōng】率【lǜ】，微波发生器【qì】的【de】开关时间(基本没修改过);
第二组这些参数主要是调整温度、压强和等离子体浓度的均匀性;
10.膜厚与折射率不匹配
原因：(1).工艺腔压强异常;
(2).总气流和气流比率超出界限;
(3).工艺腔严重漏气(具体参看15) ;
解决：(1).检查【chá】工艺【yì】参数，是否【fǒu】被在【zài】线修改，工艺腔【qiāng】的压强基本都【dōu】是0.25mbar，不能过低，比【bǐ】如不能小于0.2mbar，如【rú】果【guǒ】压强过【guò】低的话，膜的折【shé】射率会很【hěn】小【xiǎo】1.8～1.9,且膜厚反而会【huì】偏厚;压强【qiáng】为0.1mbar时，电性能如下：
(2).也需检查工艺参数是否被修改，
11.石墨框有一边边缘或一道出现发红现象(沿进框方向)
原因：(1).石英管的使用时间
(2).工艺腔内掉片
(3).石英管因其它原因导致其表【biǎo】面残留的氮【dàn】化硅厚度不均，从而【ér】导致【zhì】微波受到【dào】削减【jiǎn】
(4).特气气孔堵塞
(5).实际微波功率偏低
解决：(1).如果是石英管已用时间过长，督促尽早更换石英管
(2).开腔将碎片去除
(3).更换石英管
(4).这种情况较【jiào】难发现，所以只能督促设备人员在【zài】维护【hù】时，清理干净，用直径1mm左右【yòu】的【de】器具【jù】将气孔【kǒng】清【qīng】理;
(5).如(3).中说的【de】，并不一定是【shì】微波功率本身偏低，但【dàn】可以调整其解决已有的【de】问题【tí】，如果是左【zuǒ】边偏【piān】红的话，可【kě】以适当提高右边【biān】微波的功【gōng】率;
12.机器导致掉片
原因：(1).如果是机【jī】器【qì】内部掉【diào】片，内【nèi】部压强差异导致的可能性更大【dà】，
(2).机器外部掉片，则原因主要是传输带不平整导致
(3).石墨框的钩子和档针变形也会导致
(4).员工放片不到位也会导致
措施：(1).检查各腔体单周期内【nèi】的压【yā】强变化趋势，特别是四个腔【qiāng】门【mén】在开关【guān】前后的【de】压强变【biàn】化
(2).让设备人员排除传输带问题
(3).跟踪确切是哪个框在特定位置掉片，将其停用;
(4).要求员工进框前，轻敲石墨框检查一下;
13.沿进框方向出现【xiàn】单框【kuàng】最【zuì】前面【miàn】2～3排或最后面2～3排整【zhěng】体发红，如下图所示【shì】;
原因：因【yīn】预热腔【qiāng】或冷却腔传动速【sù】度【dù】出现【xiàn】异常，和工艺腔匹【pǐ】配出现问题;
解决：让【ràng】设备【bèi】人【rén】员将设备软件重【chóng】新运行后即【jí】可解决;(属于软件问题)
14.单框五道之间出现严重色差;
原因：工艺腔与外部连通，出现轻微漏气;
解决【jué】：开腔后会发现膜【mó】较【jiào】厚的那道对应【yīng】的工艺腔的腔壁【bì】处也【yě】会有发白物质【zhì】，更【gèng】换石英管;
也可以在电【diàn】脑操作界面上确认各个腔体的【de】漏【lòu】气【qì】情况，先将要确【què】认的腔体抽成真【zhēn】空【kōng】，然后将其处于待机状态【tài】，察【chá】看压【yā】强升高的速度，标【biāo】准是<0.0026mbar/min;
15.整框片子的膜颜色偏暗、发紫;
原因：工艺腔与外部连通，出现较严重的漏气;
解决：首先从外观上看，就能【néng】发现【xiàn】很异常了，测试其膜厚和折射率【lǜ】会发现它们之【zhī】间不【bú】匹【pǐ】配【pèi】，比如膜厚85而折射率只有【yǒu】1.8～1.9。出现这种情【qíng】况一【yī】般是因石英管的【de】密封圈损坏【huài】和石英管爆【bào】裂导致【zhì】，具体导致上面两个原因的【de】原因【yīn】有【yǒu】冷却水问题导致期间烧【shāo】坏、石英管使用【yòng】时间过【guò】长、石英管质【zhì】量【liàng】较差等等【děng】;
上面【miàn】这张图片就是在石英管的【de】密封圈烧坏后，腔【qiāng】盖的【de】外观，在第四【sì】根和第八根石英【yīng】管处【chù】明显有发白的氧【yǎng】化【huà】硅类物质;
上面的两张图片【piàn】是检验膜好坏较【jiào】方【fāng】便的方法，即用酒精滴到【dào】膜上面，如【rú】果【guǒ】如左图【tú】所示，酒【jiǔ】精下膜颜色变化不大的话说【shuō】明膜的【de】致密性还正【zhèng】常;如果膜有异常的话【huà】，颜色会变化很大，比【bǐ】如右图【tú】都已经【jīng】变为【wéi】硅【guī】本色了;
16.单片色差、单片发红或单片偏淡
原因：沉积时间、绒面差异导致;
解【jiě】决：如果整框【kuàng】发红【hóng】或偏淡，那么多数【shù】是沉积【jī】时间过短或过长所【suǒ】致;但【dàn】如果是随机【jī】的某一位置发【fā】红、偏【piān】淡或单片色差，则主【zhǔ】要是片与片之间【jiān】或单片的绒面差【chà】异导致，且在镀膜前，仔【zǎi】细观察【chá】就可【kě】以看出绒面的差【chà】异;
17.卡框
原因：(1).碎片挡住传感器;
(2).传【chuán】输系统【tǒng】在手动【dòng】模式下，各个【gè】马达就不【bú】会按自动程序运行了【le】;
(3).出料腔的气压达不到要求;
(4).其它特【tè】殊异常情况，比如【rú】：冷却水停、加热【rè】器报警、微【wēi】波报【bào】警等;
(5).腔体之间的传感器匹配出现问题，
解决：(1).如果碎片挡住传感器，传感器会处于常亮【liàng】状态【tài】，这【zhè】就需要【yào】设备人【rén】员来
解决;
(2).出【chū】现卡框情况，自己【jǐ】先检查一下传输系统是【shì】否【fǒu】在【zài】手动模式【shì】下，如果是则将其切换【huàn】为自动模式;
(3).可能是【shì】出料【liào】腔【qiāng】的密【mì】封性不佳，让设备人【rén】员检查出口出【chū】是否有【yǒu】碎片，有的话将其清理;
(4).这些特殊异常情况就需要联系设备、设施人员共同解决;
(5). 传【chuán】感【gǎn】器的匹配问题属于【yú】软件问题【tí】，软件升级后就没【méi】有出【chū】现这个问题;
18.折射率低
原因：(1).NH3和SiH4流量比不恰当;
(2).工艺腔的压强过低;
(3).工艺腔的压强过高;
解【jiě】决：(1).出现流量比不恰当【dāng】的可能较小，如果是【shì】这一部分出现问题【tí】的话，估计是特气【qì】的流量【liàng】计或者【zhě】特气的【de】压力流【liú】量【liàng】出现问题;
(2).如果工艺腔的【de】压强低于0.2mbar后【hòu】，压【yā】强对折【shé】射率的影【yǐng】响将【jiāng】会非常明显;
(3).这里说的工艺腔压强过高，主要是指工艺腔的情况;
19.如下图所示：
镀膜前 镀膜后
原因：硅片表面未吹干，有残留水液;
解决：调整风刀;
20.一种色斑，如下图所示：
原因：手指印;
解【jiě】决：目前主要认为是【shì】清洗的【de】上【shàng】下料和刻蚀的上下【xià】料，上面的两张图片【piàn】就是清洗下料【liào】手摸【mō】导致的，解决【jué】方【fāng】法员工技能和员工意识;
特殊气体的特性介绍
氨气 (NH3)
1、特性:
无色有刺激性恶臭的气【qì】体。易溶于水、乙醇、乙醚。主要【yào】用【yòng】作制【zhì】冷【lěng】剂及制【zhì】取【qǔ】氨盐和氮【dàn】肥。
2、危险性
易【yì】燃，燃烧产物为氧化氮、氨。与空气混【hún】合能【néng】形成爆炸性混合物，若遇明【míng】火或【huò】高【gāo】热能引起燃烧爆炸。与氟、氯等能发生【shēng】剧烈的化学反【fǎn】应。若遇高热，容器内压增大，有【yǒu】开【kāi】列和爆炸的【de】危【wēi】险。
低浓度【dù】氨对【duì】粘膜有刺【cì】激作用，高浓度可【kě】造成组织【zhī】溶解性坏死【sǐ】，引起化学【xué】性肺炎及灼伤。急性【xìng】中毒【dú】，轻者表现为【wéi】皮肤、粘膜刺激反应，出现鼻炎、咽炎【yán】、器官及支气【qì】管炎【yán】，可有角膜及皮肤灼伤。重度者出【chū】现喉【hóu】头【tóu】水肿，声【shēng】音狭【xiá】窄，呼吸【xī】道粘【zhān】膜细【xì】胞脱落，器官阻塞而窒息，可有中【zhōng】毒性肺水肿和肝损伤。氨可引起发射性呼吸停止【zhǐ】。如氨溅入眼内，可致【zhì】晶体【tǐ】浑浊【zhuó】，角膜穿孔，甚至【zhì】失明。
3、灭火方法
切断气【qì】源。若不能立即【jí】切断气源，则不【bú】允许【xǔ】熄灭正在【zài】燃【rán】烧的气体，喷水冷却容器，可能的【de】话将容器【qì】从【cóng】火场移至【zhì】空旷处。
4、储运注意事项
易【yì】燃、腐【fǔ】蚀性【xìng】压【yā】缩气【qì】体。禁忌卤【lǔ】素、酰基氯，酸类、氯仿，强氧【yǎng】化剂。储存于阴凉【liáng】、干燥【zào】、通风处。远【yuǎn】离火种、热源。防【fáng】止阳光直射。应与卤素、酸【suān】类等分开【kāi】存放。罐储时要有防【fáng】火【huǒ】防暴技术【shù】措施。配备相应品种和数【shù】量的消防器【qì】材。禁止使用易产生火【huǒ】花的【de】机械【xiè】设备和【hé】工具。验【yàn】收时【shí】要注意品名【míng】。注意验瓶日【rì】期，先进仓【cāng】的先发【fā】用。槽车运送时要罐装适量，不可超压超量运输【shū】。搬【bān】运时轻装轻【qīng】卸，防止钢瓶及【jí】部件破坏。运输按规定路线行驶，中途不得停驶。
5、急救措施
皮肤接触:立【lì】即脱【tuō】去污染的衣【yī】着【zhe】,用【yòng】大量流动的【de】清水彻底清洗。或用3%硼【péng】酸【suān】溶【róng】液冲洗。若有灼伤，就医治疗。
眼睛接触：立【lì】即提起眼帘【lián】，用流【liú】动【dòng】清水或生理盐水冲【chōng】洗至少15分钟。立即【jí】就医【yī】。
吸入：迅【xùn】速脱【tuō】离现场至【zhì】空【kōng】气新鲜处。保持呼吸【xī】道通【tōng】畅【chàng】。呼吸困难时给输氧。呼吸停【tíng】止时，立【lì】即进行人工呼吸。就医。
空气【qì】中【zhōng】浓度超标时，必须佩戴防毒口罩【zhào】，戴化【huà】学安全防护眼【yǎn】睛【jīng】，穿工作服，必要时戴【dài】防护手套，紧急事态【tài】抢救或逃生时建议佩带【dài】自【zì】给式呼吸【xī】器，工【gōng】作现场禁止吸烟，进【jìn】食和引水，工作后淋浴更【gèng】衣。保持良好的【de】工【gōng】作习惯。
甲硅烷(SIH4)
1、特性
无色气体，有恶臭。易溶于苯，四氯化碳。
2、危险性
遇明火、高热极易燃烧，暴露在空气能自燃【rán】。与【yǔ】氟、氯等能发生剧烈的化学反应。吸【xī】入甲烷蒸气后【hòu】，引起头痛【tòng】、头晕、发热、恶心、多汗【hàn】，严重者面【miàn】色苍白，脉搏微弱，陷入半昏【hūn】迷【mí】状【zhuàng】态。
3、灭火方法
切断气源，若立即不能【néng】切断气源，则不允【yǔn】许熄灭正【zhèng】在燃烧【shāo】的气体，喷水冷却【què】容器，可能的话将容器从【cóng】火【huǒ】场移至空【kōng】旷【kuàng】处。灭火【huǒ】剂用二氧化碳。禁止【zhǐ】用卤代【dài】烷灭火剂。
4、操作处置与存储
穿戴一般防【fáng】护用【yòng】品【pǐn】。确【què】保钢瓶、设备及管路严【yán】密不泄【xiè】漏【lòu】。工【gōng】作间为甲类防火防暴单元，电气设施【shī】为防暴型，严禁火种入内，禁用【yòng】易产生火花的机【jī】械及工具、通风【fēng】良好、保持干燥。遵守【shǒu】气【qì】瓶安全检查【chá】规程有关规定。存【cún】储于阴凉通风【fēng】仓间内，远离【lí】火种、热源【yuán】，钢瓶【píng】温度不大于【yú】52℃，防止阳光直【zhí】射，保持容【róng】器【qì】密封，应与氧化剂【jì】分开存放。存储【chǔ】间内的照明/通【tōng】风等设施应采用防【fáng】暴型【xíng】，开关设在仓外【wài】。配备相应品种【zhǒng】和数量的消【xiāo】防器【qì】材。禁止使用【yòng】易产生火花的机械设备和工具。禁止【zhǐ】撞击【jī】和震【zhèn】荡【dàng】。搬运时轻装轻卸，防止钢瓶及部件破坏。
5、泄露应急处理
迅【xùn】速撤离泄露污染区，人员至上风处，并隔离至气体散去【qù】，切断火源。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器【qì】，穿【chuān】一【yī】般消【xiāo】防护符，切断气源，喷洒【sǎ】雾状水稀【xī】释【shì】、抽排(室内)或强力通【tōng】风(室外【wài】)。如有可能【néng】，将残余【yú】气或漏【lòu】出气【qì】用排风【fēng】机送【sòng】至水【shuǐ】洗【xǐ】塔或与塔相连的【de】通风橱内，漏气容器不能再用，且要【yào】经过技术处理，以【yǐ】除去可【kě】能剩下的气体。
工程控制：生产过程密闭。全面通风。
吸入:脱离现【xiàn】场至空【kōng】气【qì】新鲜处。保持呼吸道通畅【chàng】。必【bì】要时进行【háng】人工呼吸。就【jiù】医。
呼【hū】吸【xī】系统【tǒng】防【fáng】护：空气中浓度超【chāo】标时，应佩带防毒口罩。必要时佩带【dài】自给【gěi】式呼吸器。
眼睛防护：一般不需特殊防护。高浓度接触时可戴安全防护眼镜。
手防护：一般不需特殊。
其它： 工作现【xiàn】场禁止吸烟。进入罐或其它高浓【nóng】度区作业，必【bì】须有【yǒu】人监护【hù】。
