有关“P型单晶硅”的内容

单晶硅片【piàn】具有准金属的物【wù】理性【xìng】质，有较弱的导电【diàn】性，其电导率随温【wēn】度的升高【gāo】而增加；有显着的半导【dǎo】电性。在超纯单晶硅片【piàn】中掺【chān】入微量的硼可【kě】提【tí】高其【qí】导电的程度，而形成【chéng】P型硅片半导体；如掺【chān】入【rù】微量的磷【lín】或砷也可提高导【dǎo】电程度，形成【chéng】N型硅【guī】片半导体【tǐ】。那么，P型硅片和N型硅片【piàn】有哪些区别【bié】？P

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1.晶硅【guī】组【zǔ】件的【de】光衰【shuāi】硼(B)掺杂的P型【xíng】单晶【jīng】硅(Cz-直拉法)电池【chí】的光衰【shuāi】现象早在1973年已发现，该光衰【shuāi】之后被【bèi】发【fā】现可一定程度恢复的。JanSchmidt发【fā】现了该光衰主要是B-O对引起【qǐ】的并给出了该缺【quē】陷的结构(2003)。AxelHerguth提出【chū】了再

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