TOPCon核心技术解读
中来【lái】N型单晶双面TOPCon电【diàn】池技术基于N型硅衬底，前表面采用【yòng】叠层膜钝化工艺，背表【biǎo】面【miàn】采用【yòng】基于超【chāo】薄氧化硅和【hé】掺杂多晶硅的隧【suì】穿【chuān】氧化层钝化【huà】接触结构，电池【chí】的背表面为H型栅【shān】线【xiàn】电【diàn】极，可【kě】双面发电。中【zhōng】来N型单【dān】晶双面TOPCon电池集成
中来【lái】N型单晶双面TOPCon电【diàn】池技术基于N型硅衬底，前表面采用【yòng】叠层膜钝化工艺，背表【biǎo】面【miàn】采用【yòng】基于超【chāo】薄氧化硅和【hé】掺杂多晶硅的隧【suì】穿【chuān】氧化层钝化【huà】接触结构，电池【chí】的背表面为H型栅【shān】线【xiàn】电【diàn】极，可【kě】双面发电。中【zhōng】来N型单【dān】晶双面TOPCon电池集成