HJT电池也叫HIT电池【chí】，俗【sú】称异质结电池，全称【chēng】为晶体硅异质【zhì】结【jié】太阳电【diàn】池，是一种【zhǒng】采用HIT结构的【de】硅太阳能电池，该【gāi】技【jì】术是在【zài】晶【jīng】体【tǐ】硅【guī】上沉积非【fēi】晶硅【guī】薄膜。综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力，能提高光电转换效率，是高转【zhuǎn】换效率硅基太阳能电【diàn】池【chí】的热门朝向【xiàng】中的一种。
一、异质结HIT电池的优点
1、应用【yòng】范围广泛：大量利用在太阳【yáng】能板、城市公共交通、通【tōng】讯设备、电力【lì】安装工程、国防科技【jì】或是在【zài】远洋航【háng】行、国内航空不同经济领【lǐng】域，HIT电池都具【jù】有了【le】不能缺失的【de】重要作【zuò】用。
2、效率提升潜力高：HIT电池采【cǎi】用的N型【xíng】硅片【piàn】具有较【jiào】高的少【shǎo】子寿命，非晶硅钝【dùn】化处理的对【duì】应【yīng】结构同样也可以取【qǔ】得较低的表面复合【hé】型速率，以【yǐ】至于硅异质结【jié】太阳能电池的开路电压远高【gāo】于【yú】传统式单晶硅太【tài】阳能电【diàn】池，其【qí】效率潜力比当前利【lì】用P型硅【guī】片的PERC电池大至更是【shì】高达2％
3、成【chéng】本费【fèi】用低、生【shēng】产工艺简单【dān】不复杂：HIT电池【chí】融合了薄膜太阳能电池超低温的生【shēng】产【chǎn】制造优点，规避了传统式的高温工艺。HIT工艺流程【chéng】相【xiàng】比简单【dān】化，所有【yǒu】生产【chǎn】工艺【yì】流程只需四个部分就可以实现【xiàn】
4、高稳定性，高【gāo】效率【lǜ】：HIT电池的【de】光照稳定性好【hǎo】，异质结中的非【fēi】晶硅【guī】薄膜并没有发现Staebler－Wronski效应，也就代表着电池【chí】转换【huàn】效率不会因光照而出现衰退【tuì】的迹象【xiàng】。
5、正反两面电池：HIT电【diàn】池是非【fēi】常好的正反两面电池，正面和背面基本上无色调差距，且【qiě】双面率（指电【diàn】池背面效【xiào】率【lǜ】与【yǔ】正【zhèng】面效率之比）可【kě】达到九十【shí】％以上【shàng】，极高可【kě】以达到九【jiǔ】十八％，背【bèi】面发【fā】电的核心竞【jìng】争力明显【xiǎn】。
二、异质结HIT电池的缺点
1、设【shè】备投资【zī】高，由于采用了薄膜沉积技术，需【xū】要用到高【gāo】要求的真空设备;
2、工艺要求严格，获【huò】得【dé】低界面态的非【fēi】晶硅/晶体硅【guī】界面，对工艺环境和【hé】操作要求也比较【jiào】高;
3、透明导电薄【báo】膜一【yī】般为氧化铟【yīn】掺杂金属氧化物【wù】成【chéng】本【běn】偏高，低温银浆电阻【zǔ】率偏【piān】高导【dǎo】致银浆单耗居高不下;
4、需要【yào】低温【wēn】组件封装工艺【yì】，由于HJT电池【chí】的【de】低温工艺特性，不能【néng】采用【yòng】传【chuán】统晶体硅电池后续高温【wēn】封装工艺，需要开发【fā】适合的低温封装工艺。
