第三【sān】届N型【xíng】晶硅电池【chí】与钝化接【jiē】触技【jì】术论坛将【jiāng】于2018年12月9-21日在江苏【sū】常州【zhōu】召开。来自新南威尔士大学(UNSW)的专【zhuān】家将参会并作重要报告【gào】，介绍N型硅的效率【lǜ】提升及光【guāng】衰研究【jiū】。
UNSW研究【jiū】表明，通过选择性杂质【zhì】工程【chéng】处理，可以将【jiāng】低质量n-型【xíng】硅片的开路电压从650 mV提高【gāo】到730 mV。UNSW将【jiāng】在报【bào】告【gào】中介绍吸杂和氢钝【dùn】化的影响效果以及创【chuàng】造低质量低成本硅太阳能电池的潜能。
在已完成的n-型硅【guī】异质结电池生产中，UNSW通过提【tí】升载流子【zǐ】运【yùn】输和表面钝化来进一步提升异【yì】质结电【diàn】池效率。UNSW研究【jiū】表明，他们将异质【zhì】结【jié】电池效率绝对值提升【shēng】了高达【dá】0.7%，这一提高采【cǎi】用了其正在审【shěn】批的关于SHJ结构的新专利【lì】中的【de】流程。此外【wài】，该技术【shù】还可以将n-PERT太阳能电池【chí】的效率绝对值提升0.3%-0.5%。
n-型【xíng】硅太阳能电【diàn】池由于不受光衰影响而广【guǎng】受赞誉。然而，UNSW在近期对晶硅材料的热辅助光【guāng】衰【shuāi】(LeTID)研究中【zhōng】，发现这些杂质也许【xǔ】也【yě】会在n-型【xíng】硅中出现。通【tōng】过控制烧【shāo】结条件和扩散发射【shè】极层，UNSW找到了在n-型硅中诱导和调【diào】整【zhěng】光热【rè】衰变缺【quē】陷的方法。基【jī】于这些【xiē】方法【fǎ】，他们将【jiāng】在报告【gào】中讨论这些【xiē】发现对于n-型和【hé】p-型晶体硅的技术【shù】发展意义。
