杨德仁在【zài】演讲中指出，随着【zhe】今后【hòu】的发展单晶硅的份额【é】将会增加的【de】更多，而多晶【jīng】硅的份额会一定量的减少。但是在市场上【shàng】两个产品【pǐn】将会在一【yī】定程度里面【miàn】共存，谁【shuí】也【yě】不会简单【dān】消灭【miè】谁。
以下为杨德仁演讲文字实录：
杨德仁：各【gè】位领【lǐng】导、各位专家【jiā】、各位同【tóng】仁上午【wǔ】好。首先感谢组委【wěi】会【huì】邀【yāo】请我来跟大家【jiā】分享一【yī】下，关于【yú】最近硅材料一个重要的进展，铸造多【duō】晶硅相关的研究进展。
在刚才会【huì】议上面【miàn】我【wǒ】们【men】很多领导【dǎo】和专家对太阳能的发展做了一【yī】个【gè】比较好的介【jiè】绍【shào】，从这张图上面也可以看到，太阳能是新【xīn】能源一个重要的【de】发展【zhǎn】趋势，这张【zhāng】图【tú】显示了欧盟做的一个预计，大概【gài】在2050年【nián】我们的太阳能发电在欧盟希望【wàng】达到【dào】30%，而到2100年希望达【dá】到70%，因此太阳能【néng】光伏发电是今【jīn】后新能【néng】源【yuán】里面最重要的一个能【néng】源形势。而这个【gè】能源【yuán】形势在我们国家，以及在过【guò】去【qù】十年当中也得到了充分的【de】显示，这【zhè】是过去十年【nián】当中我们可以看到的，太【tài】阳能【néng】光伏安装【zhuāng】量的一个增加【jiā】。
十年的【de】期间【jiān】增长【zhǎng】了几乎是10倍，我们从2006年【nián】当年1.5个【gè】GW到去年接【jiē】近100个GW，大概增长【zhǎng】了整个的65倍【bèi】，而我【wǒ】们中国的发【fā】展也是非【fēi】常迅速的。到了去【qù】年我们中国的硅晶体【tǐ】，太阳能电池组件的市场份额在国际上都达到了60%-80%。
在快【kuài】速发【fā】展当中太【tài】阳【yáng】能电池【chí】作为一个基础，组件的基础【chǔ】，电站的基【jī】础无疑是最吸【xī】引人和吸引目光的。在这些太阳能电池【chí】材料当【dāng】中你【nǐ】可以看到【dào】，我们大致可以为几类【lèi】，一种是【shì】晶体硅，一种是非【fēi】晶硅，一【yī】种是化合物半导体包括砷化镓，以及今后【hòu】将要【yào】发展的新概念太阳能【néng】电池。
但在这当中【zhōng】现在的发【fā】展你可以看【kàn】到，最主【zhǔ】流【liú】的最重要的【de】是晶体【tǐ】硅，它在市场的【de】份额超过了90%以上，而非晶硅当年达到10%，而去年仅仅占了全球的0.2%。我们在看这硅晶【jīng】体【tǐ】的产业链相【xiàng】对来说我们这很多的专家比较熟，它是从硅石到金属硅【guī】，然后再【zài】到纯多晶硅，我们【men】通【tōng】过多种【zhǒng】的方法给提【tí】纯。也就是达【dá】到【dào】7个9，到9个9。在这种情况【kuàng】下【xià】，我【wǒ】们把这样一个【gè】材料制备【bèi】成【chéng】晶体硅再做成太阳能【néng】电池，再做【zuò】成组件。
所以今天我们在【zài】展览会上看到很多组件企业的展览，这【zhè】个我们应用终【zhōng】端的【de】产品之一。我们今天要给大家讲的是中间【jiān】重【chóng】要【yào】的材【cái】料，就是晶体硅。这种晶体硅它【tā】主要有两【liǎng】种【zhǒng】形式，一种【zhǒng】我们【men】称为单晶，我【wǒ】们利用籽晶的方法进行【háng】生长【zhǎng】的。在2017年也就去年，大概占【zhàn】了【le】全球【qiú】的【de】30%，另外一种【zhǒng】是【shì】铸【zhù】造晶体硅，这也是我【wǒ】们江苏协鑫【xīn】做的【de】非常棒【bàng】的一个技术。在去年【nián】大概占了市【shì】场整个67%，可以看【kàn】到这【zhè】两个加起来大概占【zhàn】了整个市场的96.5%，这样我们可以毫【háo】不犹豫的说，硅材料决定了太阳能光伏【fú】的发【fā】展前景，在【zài】过去十年当中中国的硅材料也得到了【le】快速的【de】发展，这张图给【gěi】大家看的【de】是【shì】在2017年，全【quán】世【shì】界硅材料，硅晶体材料的【de】前十【shí】强，你【nǐ】可【kě】以看【kàn】到全【quán】部【bù】是中国的，这个十强生产的太阳能总共达【dá】到了65.4个GW产量，占了全球产量的62%。所以【yǐ】大家可以看到中国的硅【guī】材料对于全世界的硅材料太【tài】阳能光伏【fú】产业起着决定性作用。在【zài】一些【xiē】企业当中，第二行可【kě】以【yǐ】看到我们【men】包括了两【liǎng】种，一种是铸造【zào】多晶硅，一种是直拉硅晶体，而这【zhè】两【liǎng】种有什么区别呢?
左边是【shì】直拉的硅晶体【tǐ】，右边是铸造的多【duō】晶体这两种的生长方法不一样，通常而【ér】言对于直拉这种技术而言质量好，太阳【yáng】能电池效率高。因【yīn】此高效【xiào】的太阳【yáng】能电池基本上【shàng】用这种技术制【zhì】备的，但是它相对成本要高，能耗要高一些【xiē】。另外一个方法【fǎ】是铸【zhù】造多晶【jīng】硅，它的成本【běn】低，但是它的能耗也低，但是相对质【zhì】量比【bǐ】较差【chà】一【yī】点，它【tā】的效率【lǜ】也低【dī】一点，因此这两种材料【liào】在过去【qù】的十年当中既【jì】是我们【men】太阳能【néng】的主体材料，同样它【tā】也在市场上展【zhǎn】开【kāi】了一个【gè】激烈的竞争。
很【hěn】多人在问【wèn】，究竟是多晶好，还【hái】是单晶好?做单晶【jīng】的【de】时候单晶好，做多【duō】晶【jīng】的说多晶好。所以在这两年【nián】的市【shì】场上竞争非常激烈【liè】，我们给大家【jiā】看一看它究竟【jìng】哪【nǎ】个【gè】好。两个各【gè】有优点，从历史上【shàng】去看，这个是从2000年开始到2017年，这两种材料在【zài】市场一个份额红色是单晶的，蓝色【sè】是铸造多晶【jīng】，你【nǐ】可以看到其实一开始做成太阳能电池的时【shí】候【hòu】就是单晶的没有多【duō】晶【jīng】的。到【dào】了上世纪【jì】80年代，90年代【dài】的【de】时【shí】候铸造【zào】多晶【jīng】技术开始出现【xiàn】，出【chū】现以后【hòu】你看它的份额逐渐增加【jiā】，一【yī】直到【dào】2004年的时候，2003年的时【shí】候达到了最高【gāo】点。占了全球市【shì】场的55%，然后又【yòu】逐渐下降，到了2007年的时【shí】候又下【xià】降了40%左右【yòu】，那时候单晶硅又涨到40%左右了，那个主要原因【yīn】是由于中国大【dà】力发展的单【dān】晶硅。
在随后的几年当中你也可【kě】以看到，铸造多【duō】晶硅的份额又继续增加。市场份额在不断的增加，而铸造多晶硅的份额也【yě】在不断【duàn】增加【jiā】，而【ér】这个增加也是由于中国的铸造多【duō】晶【jīng】硅企业开始投【tóu】资了，开【kāi】始快速增【zēng】长了【le】。到了2015年以后你可以看到单晶【jīng】硅的【de】份额又在【zài】增加，所以它是【shì】一【yī】个政策市场技【jì】术和经济共同作用的一【yī】个【gè】结果，从技术上看，这是【shì】今后的趋势，因为高效太阳【yáng】能【néng】电池占的比【bǐ】例【lì】将会越来【lái】越多。而效率越高对【duì】硅材料【liào】质量的【de】要求将会越高。所以我们刊印【yìn】看到，底下深蓝色的和蓝【lán】色的这个是多晶硅，那么【me】黄色【sè】和【hé】浅【qiǎn】蓝【lán】色是单【dān】晶硅【guī】，你可以看到【dào】随着【zhe】今后的发展单晶硅的份额将会增加的更多【duō】，而【ér】多【duō】晶【jīng】硅的份【fèn】额会【huì】一定【dìng】量的减少。但是在市【shì】场【chǎng】上两个产品【pǐn】将会在一定程度里面共【gòng】存，谁也不会简单消灭谁。
所【suǒ】以这是【shì】我们目【mù】前一个状况，对于太阳【yáng】能电【diàn】池来讲【jiǎng】大家都知【zhī】道【dào】的，高【gāo】效率低成本【běn】，是一个长【zhǎng】期【qī】追求的一个【gè】目标。所以对这【zhè】两种材料来讲也是围【wéi】绕着这两种目【mù】标进行的，相【xiàng】对【duì】来说多晶硅是低成本，因此它【tā】的技术研究上面希望是高效率，所以在【zài】控制津贴减少错等【děng】提高质量上面现【xiàn】在是我们技术发【fā】展的路径。
而对单晶【jīng】硅而言它的质【zhì】量比较高【gāo】，因此它关注【zhù】的问【wèn】题是【shì】怎【zěn】么样改善技【jì】术，降低【dī】成【chéng】本。比如【rú】说金刚线切【qiē】割【gē】，增加【jiā】强【qiáng】度【dù】重复加料【liào】，连续【xù】加料等【děng】等【děng】，这些是它技术发展的方【fāng】向。当然今【jīn】天我要给大家介【jiè】绍是第三路【lù】，我们有没【méi】有更好的路来【lái】做这个事情。这是我们最近正在努力工【gōng】作一个我们称为铸造单晶，也称为类单晶或【huò】者称为【wéi】准单晶。它的方法是什么呢?它利用籽晶通过铸造的方法【fǎ】生长【zhǎng】出单晶硅【guī】，也就是说我们【men】把直拉硅晶体和铸【zhù】造多【duō】晶硅两种技术的优点给结合起来这样我们既有低成本，低【dī】能耗也【yě】有高【gāo】质量【liàng】高效率的优点。所以【yǐ】这样一【yī】个技【jì】术在过去【qù】十年当中以及最近得到了非常大的关注。
实【shí】际【jì】上【shàng】这个技术最早是国外发表【biǎo】的，这是在1977年的时【shí】候【hòu】，就在一个杂志上面发表了【le】这样一个技术【shù】。但【dàn】是那个技术是【shì】是【shì】实验【yàn】室的【de】小直径，大【dà】概是这么【me】一点大的晶体。所以发表【biǎo】完了以后没有【yǒu】人在意这样一个【gè】技术，一直到2006年BPCO他们把【bǎ】它做成了M2，引起了【le】大家【jiā】的关注。他要把它的【de】效率做到18%，到了2009年【nián】的时候【hòu】我们实验【yàn】室做【zuò】了相当多的一些工作，这样【yàng】做了以后引【yǐn】起我们国【guó】内【nèi】同行的关注。那【nà】么我们看看【kàn】它究竟有什么好处，是【shì】不【bú】是真的能达到低成本，高效率。
我们来看这张图，这个是来【lái】鉴定材料质量【liàng】好与【yǔ】坏的一个重要的指标。蓝色是表【biǎo】示【shì】好，红【hóng】色表示差，你可【kě】以看到普【pǔ】通【tōng】铸造多晶硅上面一个【gè】晶片156乘156，上面【miàn】有相当多红色和绿【lǜ】色就代【dài】表它的【de】性能比较差。而【ér】右边这个铸造的单晶【jīng】，你有铸造【zào】的方法做出【chū】来单晶【jīng】，它平均是比【bǐ】较均【jun1】衡的【de】，而且色彩是【shì】偏蓝的，效率是【shì】高，寿【shòu】命是高的。
左【zuǒ】边这张图【tú】可以看到【dào】，铸造的多晶【jīng】硅生命【mìng】要比普【pǔ】通【tōng】多晶硅【guī】要高【gāo】，而【ér】且它的分【fèn】布又比较窄【zhǎi】，认为它的性能是比较【jiào】好的。我们【men】把【bǎ】它做成太【tài】阳能电池你可以直接跟普通的，第一个是单晶，第二个红色是铸【zhù】造多晶，最【zuì】底下一个是普通的多晶。你可以看到在同【tóng】样的情况下它可以【yǐ】比普通的多晶【jīng】增加一个百【bǎi】分点，而比铸的单晶【jīng】硅仅仅少0.5个百分点。因此它可以明显的提高【gāo】太阳能电池的效率，第三个优点是光衰【shuāi】减【jiǎn】比较【jiào】小。大家都知道【dào】直拉【lā】硅晶体【tǐ】单晶【jīng】硅它因为有复合体的存在【zài】，所以你【nǐ】一旦放在太阳【yáng】底下去【qù】实际应用光会产生衰减，大概【gài】9-21%，差【chà】可以到【dào】10%。
这张图可【kě】以看【kàn】到，最左边是【shì】普通【tōng】的单【dān】晶，它的效率降低【dī】可以降低3%左右，而利用铸造【zào】多晶硅它由【yóu】于氧含量，铸单晶硅由于氧含量【liàng】比【bǐ】较低，因此【cǐ】它的硼氧复合体的量是明【míng】显的【de】，你可以看到假如说用【yòng】铸造单晶我们【men】称【chēng】为QSC这个【gè】材料，它的光衰减仅【jǐn】仅有单晶【jīng】硅的20%-30%。也就是说大幅度【dù】的减小的单晶硅的光衰【shuāi】减，左边可以看到，随着光照时间【jiān】的延长【zhǎng】，对【duì】于普通单晶硅【guī】而言，它的缺陷力度硼氧复合体是成指【zhǐ】数增加的，但【dàn】是红色那个【gè】是【shì】铸造【zào】单晶几【jǐ】乎是不【bú】增【zēng】加的【de】。因此由【yóu】于硼氧复【fù】合体【tǐ】的降低【dī】，导致了光衰减的降低【dī】，这就是铸造单【dān】晶三【sān】大优势。
正是由于这样一个优势在2010年前后，铸造【zào】单晶实际上已经被企【qǐ】业【yè】所采用，也大【dà】量的生产【chǎn】了。那年【nián】大概【gài】市场的份额占到了【le】15%-20%左右，但是到了2013年以【yǐ】后工艺界【jiè】放【fàng】弃了【le】，工艺界【jiè】放弃主要的原【yuán】因是在于高效多晶硅的出现，同时由于【yú】类单【dān】晶【jīng】或者说铸造单晶存在【zài】着【zhe】这样一【yī】些【xiē】问题，第一【yī】个籽晶成本【běn】。第二个单晶【jīng】率【lǜ】，第三【sān】个高位错密度，第四个采用【yòng】利用率【lǜ】。等下【xià】我会简要【yào】介绍一下这些因素对目【mù】前【qián】我们依然【rán】存在，在2018年，2017年国内主要的【de】厂家都在【zài】开发这样的技术，都在努力【lì】克服这四个【gè】主要的困【kùn】难。第一【yī】个籽晶，左边那张图是一个示意图，我们要铸造的方法【fǎ】要单【dān】晶，在底部要铺一层【céng】籽晶，这个籽晶是用但晶切割下来，切割下来切成156乘156，然【rán】后铺在【zài】干【gàn】锅【guō】的底部，而这【zhè】样【yàng】一个【gè】干【gàn】锅这样一个晶体是【shì】需要成本的，它【tā】的【de】厚度【dù】是在2个毫米左右，加工需要精养，控制比较【jiào】复杂【zá】。这个增加了一个成本，所以目【mù】前现在大家正在研究的【de】如何降低这个厚【hòu】度，能【néng】不能籽晶厚度从两【liǎng】个【gè】毫米降低到一个【gè】毫【háo】米，这【zhè】个籽晶能【néng】不能重复应用，这个硅单经我们【men】能不能用边皮料，或者说我们希望用【yòng】无籽晶的技术来【lái】成【chéng】长类单晶【jīng】。
这是目前国际【jì】上，国内正在走的技术途【tú】径。第二个问题是单晶率，右边这张图【tú】可以【yǐ】看到【dào】，晶体【tǐ】生长完以后这个单晶不是【shì】全部的单晶，在边【biān】角上还有多晶的【de】存在【zài】，中间这张【zhāng】图是一个【gè】示意图，一般我们称为【wéi】G5，是晶锭。就是说5乘5个晶钉【dìng】所有蓝色地方是指单晶，而在【zài】边【biān】缘和边角上依然有【yǒu】多晶【jīng】的存在。我【wǒ】们【men】给大家举三个例【lì】子【zǐ】样品，一个是最角【jiǎo】上的A1，一个边缘【yuán】的C1，一个中间的C3，这张【zhāng】图可以【yǐ】看到A1这个样品【pǐn】两边角上有多晶，有花样，C1只有一边【biān】，中【zhōng】间C3已【yǐ】经完全【quán】是单晶了【le】。
尽管这【zhè】样边缘的多【duō】晶会造成一【yī】定的问题，这个问题会造成什么呢?工艺的不一致，用单晶工艺【yì】好呢?还是多晶工艺好呢?又有【yǒu】单晶又有【yǒu】多【duō】晶，还【hái】造成【chéng】划片，这张图是一个【gè】太阳【yáng】能【néng】电池，你可以【yǐ】看到太【tài】阳能电池【chí】当中边【biān】角就是划【huá】片，你【nǐ】把它放【fàng】在屋顶上，它【tā】颜值【zhí】不是那么【me】好看，第二个相对【duì】效【xiào】率会比较低。
今后大家【jiā】正在努力的方向【xiàng】是什么呢?希望用这种方法能够【gòu】做出100%的单晶【jīng】，哪【nǎ】怕【pà】做成90%也可以降低成本，目前研【yán】究已经【jīng】证【zhèng】明，我们在时间上大概可以做到9-21%。仅仅是【shì】四【sì】个【gè】角【jiǎo】上有一点点，还【hái】有多晶存在，但是重复性控制还【hái】不【bú】是太好。因【yīn】此，单【dān】晶硅的控制依然【rán】是【shì】我们一【yī】个挑战。
国际【jì】上现【xiàn】在提出了两种方法，一种方法是用一【yī】个籽晶，一个【gè】籽【zǐ】晶从中间【jiān】开始，然【rán】后慢慢【màn】放大，这样的一个籽晶【jīng】造成【chéng】了单晶能够做到【dào】100%，这是理【lǐ】论发表的，但实际上没有做成功。
第二种【zhǒng】技术我们【men】称为功能【néng】精件的方法，左【zuǒ】边这个【gè】图是用籽晶，籽晶长了一【yī】半【bàn】的时候，从边缘就有其他的【de】多晶体进来了【le】。我们现在这个方法在边【biān】缘【yuán】放一【yī】个特殊【shū】的晶件，这个往上走了以【yǐ】后，会控制边【biān】缘的晶体长进来【lái】，从而使得里面【miàn】成为【wéi】单晶，外面一点点是【shì】多晶，这【zhè】个多晶又可以【yǐ】切掉的。
这个技术最早【zǎo】是日本人提出来【lái】的，最近我们和【hé】企【qǐ】业进【jìn】行合作，已【yǐ】经把它做到产业化应【yīng】用了，你可以看到这个是实际的籽晶【jīng】，边缘铺了一【yī】层特【tè】殊的东西，左【zuǒ】边是【shì】单晶，右边是多晶。通过这样的技【jì】术以后【hòu】，我们可以把【bǎ】多晶限【xiàn】制在边缘【yuán】，从而使得【dé】里面得到大面【miàn】积的单晶的【de】工作。
第【dì】三个现在【zài】存在的【de】问题【tí】就是材料的利用率【lǜ】，刚【gāng】才给大家讲过，就是从纵向延开的【de】照片【piàn】，四周特别是上边跟下【xià】边有红色的地方，红【hóng】色的地方就意味着材料质量不【bú】好，在实际生长当中这一块要给【gěi】切【qiē】掉的【de】。我们【men】的多晶【jīng】硅底部红边区可【kě】以【yǐ】达【dá】到5个厘米，这个切掉【diào】比较多，实际【jì】得到中间灰【huī】色的区域，我们就【jiù】称为有效的单晶率，只有60%不到一点点。
因【yīn】此，如【rú】果提高这一部【bù】分的比例达到70%，也是我们现在材料研究的【de】一【yī】个重点，关【guān】键的是【shì】底部红色的那【nà】来的?我们做【zuò】了一些研【yán】究，这【zhè】个边上是籽晶的，跟铁扎制【zhì】的含量【liàng】是分布【bù】一致的。
左边这张图是模拟【nǐ】的结【jié】果，右边【biān】这张图【tú】是实验的结果，我【wǒ】们的工【gōng】作跟实【shí】际对比【bǐ】，这部【bù】分主要【yào】是金属扎制所造成的，因此【cǐ】控制金属扎制铁对减少红边区，提【tí】高材【cái】料的利【lì】用率是一个重要的发展方【fāng】向。
最后一【yī】个很重要的问题，这个【gè】位错有两【liǎng】种，一【yī】种是分【fèn】散的【de】位错，一种【zhǒng】是【shì】位错团，这【zhè】样的缺陷会造成少籽【zǐ】生命【mìng】低，电磁的效率降【jiàng】低。我们首先看分【fèn】散的位错【cuò】，这个位错左边是多晶，右边【biān】只有位错，一个【gè】黑【hēi】点，代表【biǎo】了一个位错，表示了晶体的缺陷。
这样从【cóng】底部到头部密度是逐渐增加的，底【dǐ】部只有10的14次【cì】方，头部达到了10的【de】5次方，这【zhè】样会有什么样结【jié】果呢?我【wǒ】们随着位错密度的【de】增加，少籽【zǐ】逐渐降低，同时所有的【de】条件不变，做了太阳能【néng】电池效【xiào】率就降低了0.5%，所以说单【dān】个位错对效【xiào】率的【de】影响非常【cháng】明显。
还有一个【gè】问题【tí】，从【cóng】底【dǐ】部到头部做了太阳能电池分【fèn】散性比较差，这【zhè】也是铸【zhù】造单晶，目前遇到的一个困【kùn】难，这个是【shì】物理的原因【yīn】，为【wéi】什么产生这样的【de】位错，我就不给大家细讲了【le】。
第二个晶【jīng】界，你可以看到从铸造图【tú】的【de】时候，从籽【zǐ】晶【jīng】出发【fā】朝上面跑【pǎo】的【de】是三角形的区域，这个区域会导致【zhì】效【xiào】率比较低【dī】，你可以看到是黄色【sè】的【de】，这样腐蚀以后，有【yǒu】大量的缺陷，我们称为位错的出现，这是因【yīn】为什么呢?在两个籽晶夹缝之【zhī】间产生了位错，这个【gè】位错会沿着【zhe】特定的面进行【háng】生长，长成了【le】三【sān】角形的区域。
这个【gè】是比较讨厌的【de】，一旦做到太【tài】阳能电池以后，整个【gè】硅片到【dào】后面全【quán】部变黑了，效率就非常低了，太阳能电池【chí】效率就【jiù】比较差。这个是【shì】另外的图，我们把它横【héng】向了以后，在边缘区里有大【dà】量【liàng】的位错团的出现【xiàn】，我就不【bú】给大家细讲物【wù】理原【yuán】理了。即使【shǐ】做了太阳能电池，边缘的【de】这些【xiē】位错也【yě】不能消除，太【tài】阳能电池效【xiào】率依【yī】然【rán】是比较低【dī】的。
你可以看作一个【gè】简单的比较，第一个是铸造单晶，是位错比较小的，他和最底下的【de】单晶【jīng】相比的话，可以增加【jiā】1%的效率。但【dàn】是如果【guǒ】位错【cuò】团比较多，中间那个，效率甚至比【bǐ】普通的铸造【zào】多晶【jīng】还要低。因此【cǐ】就说【shuō】明什【shí】么了?如【rú】果【guǒ】不控制好位【wèi】错【cuò】质【zhì】量，质量反而比普【pǔ】通的铸造多晶【jīng】低，所【suǒ】以位错的控制对他非常重要。
我【wǒ】们提出【chū】一【yī】个新的【de】技术【shù】是什么【me】控制的【de】呢?这是一个界面【miàn】图铸造单晶，什么都不【bú】做中间有一个【gè】三角【jiǎo】形的缺陷，从【cóng】底【dǐ】部到上面快速生长的过程，也是一个三角形的，从【cóng】底到上面的增加。
我们提出一个方法，我们故意在中间增加了一个【gè】晶界，会把缺【quē】陷给吸收了，就是以毒攻毒【dú】，故意加了一个【gè】缺【quē】陷，吸【xī】收了【le】缺陷【xiàn】。这【zhè】是我们看的，你可以【yǐ】看到中间我们故意加了一个【gè】晶界，底【dǐ】下【xià】的你看到有一个晶界很直【zhí】的，但【dàn】是位错没有【yǒu】了。
你再看最后的少籽生【shēng】命图【tú】，三角形【xíng】的低【dī】少籽区已经消除【chú】了，这个可以【yǐ】通过【guò】引入晶界控制这样缺陷团的产生【shēng】，导致少寿命大【dà】幅度的提高【gāo】。这是两个对比情况，上面是普通的，底下是故意引【yǐn】入晶界【jiè】的【de】一种情况【kuàng】。
你可以看到晶界有整【zhěng】个性能【néng】得到了改善，我就不讲了，这个【gè】是效率的情况。你可以看到这两个比【bǐ】较没有【yǒu】晶界，普【pǔ】通的【de】只有【yǒu】16.5、17.5，加【jiā】入引用晶【jīng】界增加【jiā】18.1，甚至【zhì】东西都没变【biàn】，可以引入制造【zào】单晶效【xiào】率0.6%。
最【zuì】后给【gěi】大家做一【yī】个简要的总结，到【dào】目【mù】前铸造单晶是太阳能硅材料【liào】发展重要方向，但是【shì】面临位【wèi】错密【mì】度、单晶率、材料【liào】利用【yòng】率和籽晶成本的【de】问题挑战，其中位【wèi】错是关键的因素，而【ér】我【wǒ】们提出的【de】机械【xiè】工程，可以有效【xiào】的降【jiàng】低【dī】位错，能力晶界。我们希【xī】望这样的技术在今后9-21年在工业界重新开始大【dà】规模的应用。
在结【jié】束之前，我要谢谢博士生和合作者，他【tā】们给了【le】很多的帮助，对上面的【de】一些工作。也要谢【xiè】谢【xiè】国家自【zì】然【rán】科学基金委，他们给【gěi】了很多钱，我们才【cái】能做研究。最后，谢谢各位【wèi】的【de】聆听。
注【zhù】：本文整理自中国科学院院士、硅材料国家重【chóng】点【diǎn】实验室主任、半导体研究所所长杨德仁【rén】在【zài】第十届中国【guó】(无【wú】锡)国际新能源大会暨【jì】展览会上【shàng】所作主题演讲，未【wèi】经其本人审【shěn】阅【yuè】。
