9-21，中国【guó】科学【xué】院公布了2017年新增院士名单【dān】。浙江大【dà】学材料【liào】科【kē】学【xué】与工程学院教授杨德【dé】仁当选【xuǎn】中国科学【xué】院院【yuàn】士，他也成为中【zhōng】国光伏届获得科学院院士的第一人。
杨德仁教【jiāo】授长期从事超【chāo】大规模集成电路用【yòng】硅单晶材料、太阳能光伏硅材料【liào】、硅基光电【diàn】子【zǐ】材料及器件、纳米硅及【jí】纳米半导体材料【liào】等研究工作。提出了掺氮【dàn】控【kòng】制极大规模集成电【diàn】路用直【zhí】拉硅单晶微缺【quē】陷的思路，系统【tǒng】解【jiě】决了氮关缺陷【xiàn】的【de】基础【chǔ】科学问题，促进【jìn】了【le】其在【zài】国际上的广泛应用；提【tí】出了微量掺锗【zhě】控【kòng】制晶格畸变的思路，发明了微量掺【chān】锗硅晶体生长【zhǎng】系列技术，系统【tǒng】解【jiě】决了相关【guān】硅【guī】晶【jīng】体【tǐ】的基础科学问题，实现了实际应用；研究了【le】纳米硅等的制【zhì】备、结构和性能，成功【gōng】制备出【chū】纳米硅管【guǎn】等新型【xíng】纳【nà】米半导体材料【liào】，为其器件研究和应用提供了材料【liào】基础。发表SCI论文【wén】680余篇，参编英文著作5部，授权国【guó】家发明专利130余【yú】项。
杨德【dé】仁【rén】，男，汉族，1964年4月【yuè】出【chū】生，江苏扬州人，1983年11月【yuè】加入中国【guó】共产党，1991年6月参加工作，浙江大【dà】学半导【dǎo】体材料专业毕业，研【yán】究生学历，博士。现为【wéi】浙江大学材【cái】料科学与工程学院教【jiāo】授【shòu】，浙江【jiāng】大学硅【guī】材料【liào】国家重点实验室主任【rèn】，博【bó】士生导师。2017年当选为【wéi】中国科学院【yuàn】院士。
1981年9月至1991年6月为浙江【jiāng】大学材料科学与工程学【xué】院【yuàn】（系）本【běn】科、硕士和博士研究生【shēng】。1993年浙江大【dà】学材料科学与工程博士后流动【dòng】站出【chū】站【zhàn】，晋升【shēng】副教授，其【qí】间在【zài】日【rì】本东北大【dà】学金【jīn】属材料研究【jiū】所访问研究【jiū】。1995年初赴【fù】德国FREIBERG工业大学工作，1997年5月被浙江大学特批晋升教授，1998年初回国在浙江大学工作。
2000年受聘教育部长江学者奖励【lì】计划特【tè】聘教授，2002年获国家杰出青年科学基金，2011年获【huò】评浙江省【shěng】特【tè】级专【zhuān】家，2007年和2013年担【dān】任两期“硅基光电子发光材料与器件”领域的973项目首席【xí】科学【xué】家，2017年获国家【jiā】自然科学基金委【wěi】创新研【yán】究【jiū】群体项目【mù】。2008年至【zhì】今兼任国家重大科【kē】技专【zhuān】项（02）专【zhuān】家组成员【yuán】。
1998年起，先后任硅材【cái】料国家重点实验室【shì】副【fù】主【zhǔ】任、主任；2003年起，先后兼任半【bàn】导体材料【liào】研【yán】究所副所长、所长。
作为第一完成人，曾获国家自【zì】然科【kē】学奖二等奖2项、省部级科技一【yī】等奖4项。获全国五一劳动奖章，中国青【qīng】年科【kē】技奖，全国优【yōu】秀科技【jì】工作者，浙江省“十大【dà】时【shí】代先锋”等荣誉。
来源：光伏时代
