9-21，中国【guó】科学院公布了2017年新增院士名单。中国可再生能【néng】源【yuán】学会【huì】光【guāng】伏专委会副主任杨德仁当选【xuǎn】中国科【kē】学院院士【shì】。
杨德仁，男，汉族，1964年4月出生，江苏扬州【zhōu】人，1983年11月加入【rù】中国共【gòng】产党，1991年6月参【cān】加【jiā】工【gōng】作，浙【zhè】江大学半【bàn】导体材料【liào】专业【yè】毕【bì】业，研究生学历，博士。现为中国可再生能源学会光【guāng】伏专委会副主【zhǔ】任【rèn】，浙江【jiāng】大学材【cái】料【liào】科学与工程【chéng】学院教授【shòu】，浙江大学硅材【cái】料国家重点实验室主任，博士生导师。2017年当选为中国科【kē】学院院士。
1981年【nián】9月至1991年6月为浙江大学材【cái】料科【kē】学与【yǔ】工程学院（系）本科、硕士和博【bó】士研究生。1993年浙江大学材料科学与工程博【bó】士【shì】后【hòu】流动【dòng】站出站，晋升副【fù】教【jiāo】授，其间在日本东北大学金属材料研【yán】究所访【fǎng】问研究。1995年初赴德国【guó】FREIBERG工【gōng】业大学工作，1997年5月【yuè】被【bèi】浙江大【dà】学特批晋【jìn】升教授，1998年初回【huí】国在浙江大学工作。
2000年受聘教育部【bù】长江学者奖励计【jì】划特聘教授【shòu】，2002年获【huò】国家杰出青年科【kē】学基金，2011年获评浙江省特级专家，2007年和2013年【nián】担任两期“硅基光电【diàn】子发光【guāng】材【cái】料与【yǔ】器件”领域【yù】的【de】973项目首席【xí】科学【xué】家，2017年获国家自然科学【xué】基金委创新研究群体【tǐ】项目。2008年至今兼任国家重大科【kē】技专项（02）专家【jiā】组成员。
1998年起，先后任硅材【cái】料国家重【chóng】点实【shí】验室【shì】副主【zhǔ】任【rèn】、主任；2003年起，先后【hòu】兼任半导体材料研究所副所长、所长【zhǎng】。
作为第一完成【chéng】人【rén】，曾获国家自然科学【xué】奖二等【děng】奖【jiǎng】2项、省部级科技一【yī】等奖4项。获全国五一劳动【dòng】奖章，中国青年科技奖，全【quán】国优【yōu】秀科技工作【zuò】者，浙【zhè】江省“十大时代先锋”等荣誉。
研究领域：长期从事超大规模集成【chéng】电路用硅单【dān】晶材料、太【tài】阳能光伏硅【guī】材【cái】料、硅【guī】基光电子【zǐ】材料【liào】及器件、纳米硅及【jí】纳米半导【dǎo】体材料等研究工作。
学术贡献：主要从事半导体硅【guī】材料研【yán】究，取得【dé】了【le】系列【liè】创【chuàng】新成【chéng】果。提出了【le】掺氮控【kòng】制极大规模集成电路用直拉硅【guī】单晶微缺【quē】陷的思路，系统解决了氮关缺【quē】陷的基【jī】础科学问【wèn】题，促进了其在【zài】国【guó】际上的广泛【fàn】应用【yòng】；提【tí】出【chū】了微量掺锗【zhě】控制晶格畸变的思路【lù】，发明了【le】微量掺锗硅晶体生【shēng】长系列技术，系统【tǒng】解【jiě】决了【le】相【xiàng】关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研【yán】究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳【nà】米硅管等新型纳米半导体材料，为其【qí】器件【jiàn】研究和应用提【tí】供了【le】材料基础。发表SCI论文680余篇，参编英文著作5部【bù】，授权国家发明【míng】专利130余项。
“中国科学院院士”简介
根据《中国科学院院士章程》的规定，在科学技术领域做出系统的、创造性的成就和重大贡献，热爱祖国，学风正派，具【jù】有中国【guó】国籍的研【yán】究员【yuán】、教授或同等【děng】职称的【de】学【xué】者、专家，可被推荐并当选为中国科学院院【yuàn】士。
院士增选和外籍院士选举每两年一次。至2015年12月底，共有1306名来自全国各部门【mén】、各地区（含香港特【tè】别行政区【qū】）的学者、专家【jiā】当选为【wéi】中【zhōng】国科【kē】学【xué】院院士（学部委员）。自1994年【nián】开始外籍院士选举【jǔ】以来，共选举外【wài】籍院士100名。
